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封装级电迁移加速条件对金属薄膜微观组织稳定性的影响
封装级电迁移加速条件叠加高电流密度、温升梯度与机械约束，放大原子通量偏置并诱发晶界空洞与应力迁移协同失稳。磁控溅射镀膜沉积能量分布、膜层致密度与界面洁净度决定扩散通道密度与失效起点。高纯靶体与均匀侵蚀轮廓带来稳定沉积通量，低缺陷薄膜呈现更缓慢的电阻漂移。借助EBSD、FIB-SEM与原位热-电耦合监测构建组织稳定窗口，配合晶界工程与界面阻挡层设计，可在量产条件下延缓空洞演化并提升互连寿命。
넶0 2026-02-03 -
超高致密化靶坯成形工艺对溅射稳定性与寿命周期的影响机制
超高致密化靶坯通过降低孔隙率、均匀晶粒结构和提高机械强度，实现靶面平整性与二次电子发射稳定，优化磁控溅射镀膜沉积速率与均匀性。靶面侵蚀减缓，局部过烧与沟槽加深降低，沉积速率平台期延长。结合HIP与CIP复合成形、靶温均匀性控制及磁路微调，可进一步延展靶材寿命周期并提升膜层附着力与致密性。原位检测靶面轮廓、沉积效率及膜层微结构，可实现闭环优化和周期性维护预测，为大尺寸晶圆及高端半导体量产提供可靠工艺保障。
넶0 2026-02-03 -
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硅片——集成电路制造的“地基”
通过对硅片在集成电路制造中的重要性进行详细解析，介绍如何通过优化硅片质量、改善薄膜沉积工艺、选择合适的靶材等手段，提升集成电路的性能与稳定性。
넶3 2026-01-29 -
高熵合金靶材如何推动高新产业突破？从航空航天到新能源的应用案例与技术实现
高熵合金靶材凭借其优异的物理化学性能，在航空航天、新能源、半导体等高新技术领域得到了广泛应用。本文探讨了高熵合金靶材如何推动各领域技术突破，特别是在涂层技术中的关键作用。通过优化靶材性能与溅射工艺，提升膜层质量，解决了高温、耐腐蚀等严苛条件下的技术难题。文章还分析了高熵合金靶材在光电显示、太阳能电池等领域的应用案例，展示了其在提升产业性能中的重要作用。
넶9 2026-01-21
